ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება : დის... ტექნ. მეცნ. დოქტ. / შორენა ხიზანიშვილი ; საქ. ტექნ. უნ-ტი. - თბ., 2012. - 164 გვ. : ცხრ., ილ.. - ბიბლიოგრ.: გვ. 151-164[MFN: 45547]

UDC: 621.382.2

თემატიკა:
- ნახევარგამტარული დიოდები; გალიუმის არსენიდი;

D 17.069 - საარქივო ფონდი

ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება : ავტორეფ... დოქტ. აკად. ხარის. / შორენა ხიზანიშვილი ; სამეცნ. ხელმძღვ. კალანდაძე ი. ; რეცენ.: თაქთაქიშვილი მ., მელქაძე რ. ; საქ. ტექნ. უნ-ტი, ინფორმ. და მართვის ფაკ-ტი. - თბ., 2012. - 29 გვ. : ცხრ., ილ.. - ბიბლიოგრ.: გვ. 26[MFN: 63639]

UDC: 621.382.2

FA 5.992 - საარქივო ფონდი