Влияние количества в на дефекты с глубоким уровнями в GaAS выращенном из раствора - расплава Ga - Bi / П. Брунков, С. конников, Р. Маисурадзе и другие // Труды Тбилисского государственного университета. - Тбилиси, 1992. - т.33. - с.16-25. - (Физика). - Резюме на груз. и англ. яз.[MFN: 293120]

UDC:  53

• Конников, С.;  Маисурадзе, Р. и др.; 

ბიბლიოგრაფია:  стр. 20

მატიანის რუბრიკა:  Физико-математические науки; Физика.