Радиационные изменения плотности дислокации в щелочно-галоидных кристаллах, облученных в реакторе при обычных и низких температурах / Э. Андроникашвили, Н. Политов, М. Гетия, М. Галусташвили // Электронные и ионные процессы в твердых телах, 2. - 1965. - стр.3-13[MFN: 113482]
Зависимость заряда дислокаций от скорости их движения в кристаллах Lif / М. В. Галусташвили, И. М. Паперно // Электронные и ионные процессы в твердых телах / Институт физики. - , 1974. - т. 7. - стр.61-71[MFN: 174218]
Влияние пластичности кристаллов Nacl на порог их оптического разрушения / М. Галусташвили // Сообщения Академии наук Грузинской ССР, т. 99. - 1980. - N2. - стр.345-347. - Резюме на груз. и англ. яз.[MFN: 216186]
Изменение дефектной структуры и механических свойств кристаллов в процессе пострадиационного отжига / М. Галусташвили // Физика/Труды Тбилисского университета, т.275. - 1988. - стр.533-536. - Резюме на грузинском и англиском языке[MFN: 253506]
Изменение оптической прочности кристаллов NAOO под воздействием серии импульсов СО2-KFPTHF / М. Галусташвили // Сообщения Академии Наук Грузинской ССР, т. 106. - 1982. - N3. - стр.505. - Резюме груз. англ.[MFN: 285529]