ელექტრონების ძვრადობის დაბალტემპერატურული ანომალია კომპენსირებული გერმანიუმის და სილიციუმის მონოკრისტალებში / [რედ.: ელზა ხუციშვილი] ; თსუ-ს სოხუმის ფილიალი. - თბ. : უნივერსალი, 2006. - 87გვ. : ნახ. ; 20სმ.см.. - ბიბლიოგრ.: გვ. 79-84. - ISBN 99940-61-80-1 : [ფ.ა.][MFN: 29349]
UDC: 537.311.322 + 537.12 + 548.0:537 + 548.55 + 546.28 + 546.289
• შამუგია, ნინო (ავტ.);
Subjects:- ნახევარგამტარული მასალების ელექტრულ-ფიზიკური თვისებები; სილიციუმის ელექტრული თვისებები დაბალ ტემპერატურაზე; გერმანიუმის ელექტრული თვისებები დაბალ ტემპერატურაზე; მონოკრისტალები;
K 251.798/3 - General StockF 88.357/3 - Depositary Georgian PublicationsP 382/2006 - Depositary Georgian Publications