Влияние термообработки на фотоэлектрические свойства Au-n-GaP диодов Шоттки / М. Бахтадзе, Ю. Гольдберг, Т. Лаперашвили и др. // Сообщения Академии Наук Грузинской ССР, т. 110. - 1983. - N2. - стр.289-292. - Резюме на груз. и англ. языках[MFN: 236346]
Фотоэлектрические свойства In-GaP поверхностно-барьерных структур / М. Бахтадзе, Т. Лаперашвили, И. Сагинашвили // Труды Тбилисского государственного университета. - Тбилиси, 1983. - N16. - стр.120-129. - (физика). - Резюме на груз. и англ. яз.[MFN: 255066]
Вопросы построения малогабаритных устройств отображения информации на матричном газоразрядном индикаторе / З. М. Аладашвили, М. Р. Бахтадзе, И. Г. Талахадзе // Труды Грузинского политехнического института. - 1989. - N3. - стр.32-34[MFN: 276098]