Зависимость плотности дислокации роста от скорости выращивания и диаметра малодислокационных монокристаллов Cu-Si / А. Басария, В. Санадзе // Физика (Грузинский политехнический институт). - 1973. - N8. - стр.79-81[MFN: 149828]
Усовершенствование технологии выращивания совершенных монокристаллов методом Чохральского / А. Г. Басария // Физика твердого тела(Труды Груз. политехн. института). - 1979. - N10. - стр.66-67. - Резюме на груз. и англ. языке[MFN: 202026]
О процессах ближнего расслоения в однофазных а-сплавных Си Si / А. Басария, Э. Кутелия, В. Санадзе // Сообщения Академии Наук Грузинской ССР, т. 105. - 1982. - N3. - стр.517. - Резюме груз. англ.[MFN: 272400]